【嘉勤點評】江蘇多維科技的TMR開關傳感器專利，通過將多個磁電阻傳感單元串之間進行串聯、并聯或者串并聯形成兩端口結構，使傳感器具有低功耗，小尺寸，易于操作的優點。

專業的隧道磁阻（TMR）磁傳感器領先供應商多維科技有限公司即將在Sensors Converge 2021展會上推出可預置開關點的TMR磁開關傳感器 TMR13DX系列。TMR13DX支持出廠前要求對磁場開關點進行預置，為包括水電氣表、接近開關、液位感應、直線和旋轉位置檢測等多種應用場合提供了更高的通用性和性能的一致性。

TMR線性磁電阻傳感器電橋，通常將一個具有單一磁場敏感方向的推磁電阻傳感單元切片翻轉180度，獲得X軸的挽磁電阻傳感器單元切片，而后通過綁定連接兩個切片，制備方法簡單，然而需要操作2個切片在同一平面內進行精確定位，增加了由于操作失誤導致的傳感器的測量精度損失的可能性。而采用多層薄膜結構的鐵磁參考層的設計，可以實現相反鐵磁參考層的推磁電阻傳感單元和挽磁電阻傳感單元的制造，但由于在沉積多層薄膜時需要引入至少2種多層薄膜結構，增加了微加工工藝的復雜性。

為此，江蘇多維科技于2017年12月14日申請了一項名為“一種磁滯激光編程的單切片TMR開關傳感器”的發明專利（申請號: 201721743900.0），申請人為江蘇多維科技有限公司。

圖1 磁滯開關傳感器的結構圖

圖1為本發明提出的磁滯開關傳感器的結構圖，磁滯激光編程的單切片TMR開關傳感器包括兩部分：磁滯開關傳感器，ASIC電路，其中磁滯開關傳感器對于外磁場源產生感應，并將磁場信號轉變成電信號經ASIC電路轉變成開關電平-磁場信號，其中外磁場源可以為永磁體的N或者S極。

磁滯開關傳感器包括襯底，以及位于襯底上的一個或者多個磁電阻傳感臂，磁電阻傳感臂為一個或多個磁電阻傳感單元串之間通過串聯、并聯或者串并聯而成的兩端口結構，磁電阻傳感單元串包括一個或多個串聯磁電阻傳感單元，且磁電阻傳感單元為TMR傳感單元。

磁電阻傳感單元為橢圓、菱形、或中間矩形兩端錐形的雙軸對稱形狀，其長軸為L為N或S方向，短軸為W，其鈍化層為對激光透明的材料，上電極層材料為至少150nm厚度的Cu、Al、Au、Ti或Ta金屬導電材料，以防止被激光損傷。中間絕緣層為Al2O3或者MgO材料，反鐵磁層為高阻塞溫度材料，自由層為高各向異性場Hk。當磁電阻傳感單元之間通過長距離所述下電極層互聯時，下電極層所在區域被上電極層所在區域覆蓋，以保護下電極層免遭激光損傷。

簡而言之，江蘇多維科技的TMR開關傳感器專利，通過將多個磁電阻傳感單元串之間進行串聯、并聯或者串并聯形成兩端口結構，使傳感器具有低功耗，小尺寸，易于操作的優點。

江蘇多維科技是全球性的高端磁阻傳感器技術先行者，專業為全球客戶提供高品質和創新型的磁阻傳感器芯片以及穩定、精確的磁場檢測方案。在核心團隊的帶領下，多維科技致力于為客戶帶來更多附加值，并確保他們的成功。

（holly）