【嘉勤點評】蘇州漢驊的半導體器件專利，通過在器件中形成不同厚度的介質層，提高器件的線性度。

近日，蘇州漢驊完成超億元A輪融資，而其主推的就是化合物半導體研發。蘇州漢驊表示，將與產業鏈一起打造化合物半導體領域全國產化的高端產線。

基于氮化鎵材料的高電子遷移率場效應管(HEMT)被廣泛運用于雷達，微波通信以及高壓功率器件領域。由于氮化鎵基的HEMT器件多用于大功率，高頻率，大帶寬的應用場合，因此其線性度對整個射頻前端的性能至關重要。當輸入信號的動態范圍擴大時，氮化鎵HEMT器件的靜態工作點受到影響，會使器件的幅度和相位傳輸特性發生變化，對輸出信號產生畸變失真，即產生線性度問題。如何提高HEMT器件的線性度性能，一直是氮化鎵射頻器件的技術難點。

為此，蘇州漢驊于2018年12月31日申請了一項名為“半導體器件及其制造方法”的發明專利（申請號: 201811631049.1），申請人為蘇州漢驊半導體有限公司。

圖1 半導體器件制造方法流程圖

圖1為本發明提出的半導體器件制造方法流程圖，主要包括以下步驟：首先提供晶圓，所述晶圓包括N+1個半導體結構，所述半導體結構包括半導體層和位于所述半導體層上的源極和漏極（S10）。然后在第一半導體結構上的源極和漏極之間形成第一柵極（S20）。接著在晶圓上形成第一介質層，并在第二半導體結構的源極和漏極之間的第一介質層上形成第二柵極（S30）。之后在晶圓上形成第二介質層，并在第三半導體結構的源極和漏極之間的第二介質層上形成第三柵極（S40）。依此類推，在所述晶圓上形成第N介質層，并在第N+1半導體結構的源極和漏極之間的第N介質層上形成第N+1柵極，其中，所述N為大于等于1的正整數（S50）。

其中晶圓包括4個半導體結構，分別為第一半導體結構、第二半導體結構、第三半導體結構和第四半導體結構。每個半導體結構又包括導體層和位于導體層上的源極和漏極，半導體層是包括襯底、緩沖層和勢壘層的外延層。

可以通過諸如物理氣相沉積的方法在第一半導體結構上形成第一柵極，位于第一源極和第一漏極之間。第一柵極、第一半導體結構構成第一場效應管。將上述晶圓放入原子層沉積(ALD)、超高真空化學氣相沉積(UHCVD)、分子束外延(MBE)等設備中，通過沉積的方法，在晶圓上生長第一介質層，覆蓋全部半導體結構，以此類推。

簡而言之，蘇州漢驊的半導體器件專利，通過在器件中形成不同厚度的介質層，提高器件的線性度。

蘇州漢驊從事化合物半導體核心材料的研發與生產，是集先進研發、規模生產、測試、技術服務為一體的全套閉環先進生產制造基地。未來，蘇州漢驊將進一步加快、加大化合物半導體核心高端材料的技術研發投入、擴大產能、市場拓展。

（holly）