3月18日，據(jù)Tomshardware報(bào)道，英特爾去年概述IDM 2.0 戰(zhàn)略時(shí)表示，為了在美國(guó)和歐洲建立具有競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體制造設(shè)施，其將需要政府補(bǔ)貼大約三分之一的投資。

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如今，憑借在美國(guó)和歐盟的最新晶圓廠，英特爾已經(jīng)獲得了當(dāng)?shù)睾吐?lián)邦政府的大量激勵(lì)。

報(bào)道稱，英特爾打算在俄亥俄州生產(chǎn)基地的兩個(gè)晶圓廠投資約200億美元，第一個(gè)晶圓廠將于2025年上線。當(dāng)該基地完全建成后可以容納多達(dá)八個(gè)晶圓廠，并將花費(fèi)約1000億美元。

該基地將是俄亥俄州歷史上最大的經(jīng)濟(jì)發(fā)展項(xiàng)目。為了獲得這一項(xiàng)目，俄亥俄州需要向英特爾提供約21億美元的各種激勵(lì)。此外，作為芯片法案的一部分，英特爾預(yù)計(jì)將從聯(lián)邦政府獲得資金。

總體而言，英特爾200億美元的投資中將有較大一部分來自政府財(cái)政。

但是，與英特爾在馬格德堡附近投資187億美元的晶圓廠項(xiàng)目從德國(guó)獲得的補(bǔ)貼相比，這一數(shù)字顯得微不足道。據(jù)彭博社援引知情官員的話稱，該公司獲得了約 55 億美元的政府補(bǔ)助 。而55億美元約占該項(xiàng)目成本的29.4%。（隱德萊希）