據(jù)韓媒報道，三星在第一季度財報電話會議中表示，目前已解決3nm 良率問題，3nm GAA 制程將在第二季度量產(chǎn)。

三星半導體代工事業(yè)部副總裁表示，預計二季度半導體代工市場仍將延續(xù)供不應求的局面，三星將繼續(xù)提高先進制程良品率率，積極響應大客戶需求，努力擴大供應和增加全球客戶訂單。此外，公司計劃在第二季度完成第一代GAA工藝質量驗證并在行業(yè)內首次實現(xiàn)量產(chǎn)，以確保技術領先于競爭對手。

其稱，其中5nm 工藝已經(jīng)進入批量生產(chǎn)的成熟階段，而 4nm 芯片的產(chǎn)能將很快開始改善，通過改善 3nm 制程的節(jié)點開發(fā)體系，三星現(xiàn)在對每個開發(fā)階段都有一個驗證流程。

此外他還補充，下半年存在增長放緩、世界形勢不穩(wěn)定等不確定因素，但受5G占比提升、HPC需求旺盛等因素影響，預計代工供應短缺仍將持續(xù)。公司的目標是通過提高第一代GAA工藝的良率和穩(wěn)定生產(chǎn)來擴大技術差距，實現(xiàn)下半年超越市場增長率的增長，同時縮短產(chǎn)量爬坡期，提高盈利能力，并確保更穩(wěn)定的供應。

此前臺媒曾報道稱，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該工藝良率剛剛達到10%至20%之間，三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30%-35%。

市場消息人士認為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設計做好準備，預計明年開始量產(chǎn)。

該消息人士指出，臺積電在轉向GAA晶體管技術時是否會面臨良率問題還有待觀察。臺積電極有可能擁有基于GAA的2nm，目標是在2025年投產(chǎn)。

（holly）