傳三星電子3納米工藝試產良率僅兩成
據臺媒報道，三星電子規劃今年實現3納米制程芯片量產，不過業內傳言當前工藝（3GAE）的試產良率不盡如人意，僅達到約兩成，低良率帶來的高成本，使三星在3納米工藝量產初期可能僅用于自有產品生產。
報道稱，三星計劃在2023年引入第二代3納米工藝（3GAP），屆時或將開始積極為代工客戶服務。（樂川）
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- 編輯：李娜
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