近日，山東省科技統(tǒng)計(jì)分析研究中心評(píng)選出2020年度山東“十大科技成果”和“十大科技新聞”。

圖片來(lái)源：山東新聞

“18英寸硅單晶及部件全國(guó)首次成功投產(chǎn)”與“大規(guī)模集成電路封裝核心材料實(shí)現(xiàn)突破”入選2020年度山東“十大科技成果”。

18英寸硅單晶及部件全國(guó)首次成功投產(chǎn)

大規(guī)格高純硅單晶是先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的核心部件材料，是納米級(jí)半導(dǎo)體制程良率的重要保障。經(jīng)過(guò)4年研發(fā)，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸高純稀有金屬制品制備技術(shù)”結(jié)出成果，山東有研半導(dǎo)體材料有限公司成功攻克大規(guī)格高純硅單晶技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化，填補(bǔ)省內(nèi)空白。

據(jù)山東發(fā)布消息，該成果有效解決了大規(guī)格單晶生長(zhǎng)過(guò)程熱應(yīng)力、固液界面穩(wěn)定性、氧含量、純度、典型缺陷及電阻率控制等問(wèn)題，達(dá)到全球領(lǐng)先水平，形成20余系列產(chǎn)品，長(zhǎng)成單晶直徑達(dá)到18英寸，為全球最大硅單晶尺寸，純度可到11N。產(chǎn)品為美國(guó)、日本、韓國(guó)所有硅部件廠商采用，安裝于泛林、東京電子等頂尖半導(dǎo)體設(shè)備廠商的刻蝕機(jī)產(chǎn)品中，并在臺(tái)積電等產(chǎn)線中使用。

大規(guī)模集成電路封裝核心材料實(shí)現(xiàn)突破

高精度蝕刻引線框架是超大規(guī)模集成電路封裝中的關(guān)鍵材料，主要應(yīng)用于高端芯片的封裝。目前蝕刻引線框架技術(shù)被日本、韓國(guó)壟斷，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品全部依賴進(jìn)口。

新恒匯電子股份有限公司圍繞集成電路高密度集成、高導(dǎo)電性、高可靠性三大方向開(kāi)展攻關(guān)，突破引線框架無(wú)掩模曝光技術(shù)、HSP先鍍后蝕技術(shù)、真空蝕刻技術(shù)等關(guān)鍵卡脖子技術(shù)，使引線框架的曝光精度達(dá)到6μm、生產(chǎn)效率提高30%，整體良率超過(guò)90%，技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。產(chǎn)品打破國(guó)際壟斷，替代進(jìn)口，已為長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等30余家集成電路封測(cè)企業(yè)供貨，使我國(guó)高端芯片封裝實(shí)現(xiàn)自主可控。